LED芯片衬底主要有三条技术路线：碳化硅衬底、蓝宝石衬底、硅衬底。其中，前者走的是“贵族路线”，成本高昂，其衬底及LED制备技术被美国公司垄断。蓝宝石衬底技术则主要掌握在日本公司手中，成本较低，这是目前市场上的主流路线;但蓝宝石晶圆散热较差，晶体垂直生长困难很难做到大尺寸、无法制作垂直结构的器件，衬底也较难剥离。而第三条路线就是中国自主发展起来的硅衬底技术，它弥补了前两大技术路线之不足。
“蓝宝石技术发明者曾获2014年诺贝尔物理学奖，从这个角度而言，硅衬底技术获得中国国家技术发明一等奖的可能性很大。”有LED产业人士如此表示。
中国标准将重塑产业链
上述业内人士表示，硅衬底项目的重大创新意义在于：硅基氮化镓技术是中国自主研发、拥有完全自主知识产权的技术路线，将构建中国LED产业标准，凸显产业后发优势;这一技术也将获得国家的大力支持与推广，对我国的LED产业格局有望产生革命性的影响。
硅基衬底具有良好的稳定性和导热性，且具有原材料成本低廉，晶圆尺寸大等优点。某业内资深人士表示，集成电路6吋和8吋生产线产能很多，如果硅基衬底技术成熟，LED产品价格降低一半是可期的。
孙钱在前人研究的基础上，大胆创新并利用多层AlGaN(氮化镓异质结场效应晶体管) 缓冲层技术，利用高温外延生长时建立起来的压应力抵消降温过程中应热膨胀系数的差异而引起的张应力，从而避免了氮化镓薄膜中龟裂的产生，实现了高质量无裂纹的氮化镓。这也为进一步研发出适合硅基氮化镓的多量子阱发光有源区和PN结掺杂等提供了优异的材料基础，真正实现了硅衬底氮化镓基LED的产业化技术路线。
“中国已经超越美国成为全世界最大的LED应用市场，如果硅基氮化镓技术获得中国政府大力推广，中国市场的变化最终也会牵引全球产业变迁。”有LED行业人士如此分析。
孙钱表示，从国家战略层面讲，硅基氮化镓技术是我国拥有自主知识产权的技术路线，可以构建中国完全自主的LED产业;从产业层面讲，基于硅材料的价格低廉和易于获取、硅基氮化镓技术的优势，利用成熟的集成电路产能，可以推动从设备到芯片、封装等全产业链成本大为下降。“硅基氮化镓技术接下来应该会得到国家相关政策的进一步扶持和支持，这对LED整个产业链都将会有巨大的影响，我们非常期待这些政策的落地。”孙钱如此说。 2/3 首页 上一页 1 2 3 下一页 尾页 责任编辑：guanliyuan3
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